سامسونگ نسل جدیدی از حافظه‌های رم HBM2E را با نام Flashbolt معرفی کرد.
این حافظه‌ها علاوه بر افزایش ظرفیت ذخیره‌سازی، کارایی و بازدهی بالاتری هم دارند.
این محصول کره ای با ارائه‌ی ۱۶ گیگابایت حافظه، کارایی قابل‌توجهی در سیستمهای پردازشی بسیار قدرتمند HPC دارد.
حافظه‌ی جدید در کاربردهای تحلیل داده‌ی مبتنی بر هوش مصنوعی و سیستمهای گرافیکی فوق پیشرفته نیز کاربرد بالایی دارد.
نسل جدید حافظه‌های رم HBM2E سامسونگ، دارای ظرفیتی دوبرابر نسل قبلی موسوم به Aquabot 8GB است.
حافظه‌ی جدید Flashbolt همچنین کارایی و بازدهی مصرف را به میزان قابل‌توجهی بهبود داده است که در سیستمهای پردازش نسل آتی، بسیار مفید خواهد بود.
ظرفیت ۱۶ گیگابایتی محصول جدید غول کره‌ای با جانمایی هشت لایه قالب DRAM با ظرفیت ۱۶ گیگابیت و روش تولید ۱۰ نانومتر روی یک تراشه‌ی بافر حاصل شد.
حافظه‌های رم فلش‌بولت سامسونگ، سرعت انتقال داده‌ی پایداری را تا ۳/۲ گیگابیت‌برقانیه ارائه می‌کند و از طراحی بهینه‌سازی‌شده‌ی مدار بهره می‌برد.
به‌ازای هر مجموعه تراشه در حافظه‌ی مذکور، پهنای باند ۴۱۰ گیگابایت‌برثانیه حاصل می‌شود.
به‌علاوه، هر حافظه می‌تواند از ۱۲ لایه‌ی حافظه‌ای بهره ببرد که ظرفیت ۲۴ گیگابایتی را برای هر مجموعه و در رابط باس ۱۰۲۴ بیتی به‌همراه خواهد داشت.
حافظه‌ی HBM2E جدید سامسونگ می‌تواند سرعت انتقال داده تا ۴/۲ گیگابیت‌برثانیه را به کاربر ارائه دهد که حداکثر سرعت انتقال داده محسوب می‌شود.
درنتیجه در هر مجموعه تراشه می‌توان پهنای باند ۵۳۸ گیگابایت‌برثانیه را در کاربری‌های آتی انتظار داشت.
چنین آماری، بهبود کارایی را به‌میزان ۱/۷۵ برابر نسبت به نسل قبلی Aqubolt با پهنای باند ۳۰۷ گیگابایت‌برثانیه نشان می‌دهد.
لازم به ذکر است که سامسونگ تولید انبوه حافظه‌های خود را در نیمه‌ی اول سال جاری شروع می‌کند. با اخبار به روز تکنولوژی در سایت ریز پی‌سی همراه باشید.